MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 100 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2
- Código RS:
- 230-9091
- Referência do fabricante:
- NTMC083NP10M5L
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
900,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Disponibilidade limitada
- 10.000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
O nosso stock atual é limitado e os fornecedores antecipam dificuldades no abasteccimiento.
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,36 € | 900,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 230-9091
- Referência do fabricante:
- NTMC083NP10M5L
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | NTMC0 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 83mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5nC | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie NTMC0 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 83mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5nC | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal n y canal P doble de ON Semiconductor tiene una tensión de drenaje a fuente de 100 V. Se utiliza típicamente para rectificación síncrona y conversión dc-dc.
Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para un diseño compacto
Pérdida de conducción baja
RDS(on) bajo para minimizar las pérdidas de conducción
Huella estándar
QG y capacitancia bajos para minimizar las pérdidas del conductor
La pieza no está protegida contra ESD
Estos dispositivos son sin plomo, sin halógenos/sin BFR y cumplen con RoHS
Links relacionados
- MOSFET onsemi, Tipo P-Canal NTMC083NP10M5L, VDSS 100 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2
- MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal FDS4559, VDSS 60 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 4.5 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDS86252, VDSS 150 V, ID 4.5 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex, VDSS 60 V, ID 4.5 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 4.5 A, Mejora, SOT-23 de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex DMP6110SSS-13, VDSS 60 V, ID 4.5 A, Mejora, SOIC de 8 pines