MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 100 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2

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Código RS:
230-9091
Referência do fabricante:
NTMC083NP10M5L
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOIC

Serie

NTMC0

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

83mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

3.1W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5nC

Tensión directa Vf

800mV

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal n y canal P doble de ON Semiconductor tiene una tensión de drenaje a fuente de 100 V. Se utiliza típicamente para rectificación síncrona y conversión dc-dc.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para un diseño compacto

Pérdida de conducción baja

RDS(on) bajo para minimizar las pérdidas de conducción

Huella estándar

QG y capacitancia bajos para minimizar las pérdidas del conductor

La pieza no está protegida contra ESD

Estos dispositivos son sin plomo, sin halógenos/sin BFR y cumplen con RoHS

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