MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
229-1820
Referência do fabricante:
IPB180P04P4L02ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de nivel lógico de canal P de Infineon tiene la capacidad de corriente más alta y se ha probado un 100 % de avalancha. Tiene las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica y protección de batería inversa.

Cumple con RoHS y cuenta con certificación AEC

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Es un encapsulado robusto

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