MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP055N08NF2SAKMA1, VDSS 80 V, ID 18.5 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 228-6551
- Referência do fabricante:
- IPP055N08NF2SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 228-6551
- Referência do fabricante:
- IPP055N08NF2SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | IPP055N08NF2S | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.5mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 107W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 9.45mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie IPP055N08NF2S | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.5mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 107W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 9.45mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon IPP055N08NF2S es el MOSFET de alimentación de canal N. La tensión de la fuente de drenaje de este mosfet es de 80 V. Es compatible con una amplia variedad de aplicaciones y la configuración de contactos estándar permite sustitución directa. Este mosfet tiene mayor capacidad de transporte de corriente.
Optimizado para una amplia gama de aplicaciones
Canal N, nivel normal
100 % a prueba de avalancha
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