MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQW61N65EF-GE3, VDSS 700 V, ID 62 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

12,74 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Últimas unidades em stock
  • Última(s) 52 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es)
Por unidade
1 - 912,74 €
10 - 2412,35 €
25 - 4911,72 €
50 - 9911,21 €
100 +10,57 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
228-2979
Referência do fabricante:
SQW61N65EF-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

62A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Serie

E

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

52mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

229nC

Disipación de potencia máxima Pd

625W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de automoción Vishay serie E reduce las pérdidas de conducción y conmutación.

MOSFET de diodo de cuerpo rápido con automoción

Tecnología de la serie E de grado

Reducción de trr, Qrr e IRRM

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia de entrada (Ciss)

Pérdidas de conmutación bajas gracias a la reducción de Qrr

Temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Certificación AEC-Q101

Muy baja

Links relacionados