MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SQW33N65EF-GE3, VDSS 700 V, ID 34 A, Mejora, TO-247AD de 3 pines
- Código RS:
- 228-2974
- Referência do fabricante:
- SQW33N65EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
144,15 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 4,805 € | 144,15 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 228-2974
- Referência do fabricante:
- SQW33N65EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-247AD | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 109mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 115nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión directa Vf | 900mV | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-247AD | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 109mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 115nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión directa Vf 900mV | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 700 V, corriente de drenaje continua de 34 A - SQW33N65EF-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para funciones exigentes de conversión de potencia y control. Funciona en un amplio rango ambiente y se suministra en un encapsulado de orificio pasante adecuado para disipadores térmicos y montaje robusto en contextos industriales o de automoción. El dispositivo admite conmutación de modo de mejora para aplicaciones de alta tensión eficientes y cumple la directiva RoHS.
Características y ventajas:
• La capacidad de drenaje de 700 V permite el diseño de sistemas de alta tensión
• La corriente continua de 34 A gestiona corrientes de carga sustanciales
• La Rds(on) de 109 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La disipación de potencia de 375 W admite ciclos de conmutación de alta potencia
• La carga de puerta típica de 115 nC permite un tamaño de accionamiento de puerta predecible
• La tolerancia de puerta de 30 V permite la selección de controlador de puerta común
• La corriente continua de 34 A gestiona corrientes de carga sustanciales
• La Rds(on) de 109 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La disipación de potencia de 375 W admite ciclos de conmutación de alta potencia
• La carga de puerta típica de 115 nC permite un tamaño de accionamiento de puerta predecible
• La tolerancia de puerta de 30 V permite la selección de controlador de puerta común
Aplicaciones
• Apto para etapas de accionamiento de motor de alta tensión
• Ideal para circuitos de corrección del factor de potencia frontal
• Se utiliza con fuentes de alimentación de conmutación en inversores de energía renovable
• Se puede utilizar para inversores de tracción de automoción que requieren AEC-Q101
• Adecuado para módulos de soldadura industrial y de potencia de plasma
• Ideal para circuitos de corrección del factor de potencia frontal
• Se utiliza con fuentes de alimentación de conmutación en inversores de energía renovable
• Se puede utilizar para inversores de tracción de automoción que requieren AEC-Q101
• Adecuado para módulos de soldadura industrial y de potencia de plasma
¿Qué rango térmico puede soportar en instalaciones exigentes?
Está diseñado para funcionar a temperaturas de –55 a 175 °C, lo que permite su uso tanto en entornos de arranque en frío como de altas temperaturas.
¿Qué encapsulado facilita el montaje y la extracción de calor?
El encapsulado de orificio pasante TO-247AD permite un atornillado seguro a un disipador térmico para mejorar la gestión térmica.
¿Cómo afecta el tipo de canal al comportamiento de conmutación?
La estructura de modo de mejora de canal N proporciona un funcionamiento normalmente apagado y una conducción eficiente cuando se acciona por encima del umbral de la puerta.
¿Es adecuado para los requisitos de certificación de automoción?
Cumple los estándares AEC-Q101, lo que lo convierte en adecuado para muchas etapas de potencia de electrónica de vehículos.
Links relacionados
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SQW33N65EF-GE3, VDSS 700 V, ID 34 A, Mejora, TO-247AD de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SQW44N65EF-GE3, VDSS 700 V, ID 47 A, Mejora, TO-247AD de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIHL080N65SF-GE3, VDSS 650 V, ID 46 A, Mejora, TO-247AD de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIHW040N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 65 A, Mejora, TO-247AD de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIHL050N65SF-GE3, VDSS 650 V, ID 64 A, Mejora, TO-247AD de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIHL039N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 62 A, Mejora, TO-247AD de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIHL040N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 65 A, Mejora, TO-247AD de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIHL026N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 88 A, Mejora, TO-247AD de 4 pines
