MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHL040N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 65 A, Mejora, TO-247AD de 4 pines

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

12,70 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 31 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 - 412,70 €
5 +12,44 €

*preço indicativo

Código RS:
735-229
Referência do fabricante:
SIHL040N65E-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

65A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247AD

Serie

E Series

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.04Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

391W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

92nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

5.21mm

Longitud

23.6mm

Anchura

16.13 mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

Links relacionados