MOSFET Vishay, N-Canal SQ4946CEY-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 7 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Opções de embalagem:
Código RS:
228-2946
Referência do fabricante:
SQ4946CEY-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

4W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

El canal N doble de automoción TrenchFET de Vishay es un MOSFET de alimentación.

100 % Rg y UIS probados

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