MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SQJ912DEP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 30 A, SO-8, Mejora de 4 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 210-5049
- Referência do fabricante:
- SQJ912DEP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
7,30 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Disponibilidade limitada
- Mais 3000 unidade(s) para enviar a partir do dia 25 de maio de 2026
O nosso stock atual é limitado e os fornecedores antecipam dificuldades no abasteccimiento.
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,73 € | 7,30 € |
| 100 - 240 | 0,692 € | 6,92 € |
| 250 - 490 | 0,527 € | 5,27 € |
| 500 - 990 | 0,474 € | 4,74 € |
| 1000 + | 0,402 € | 4,02 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 210-5049
- Referência do fabricante:
- SQJ912DEP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 27W | |
| Tensión directa Vf | 0.79V | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.07mm | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 27W | ||
Tensión directa Vf 0.79V | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.07mm | ||
Longitud 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de canal N doble de automoción de 40 V (D-S) 175 °C Vishay tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8L.
MOSFET de potencia TrenchFET®
Certificación AEC-Q101
100 % RG y prueba UIS
Links relacionados
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 30 A, SO-8, Mejora de 4 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SQJ264EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 54 A, SO-8, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SQJ208EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 60 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SQ4946CEY-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 7 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 60 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 54 A, SO-8, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 7 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay Siliconix, Tipo N, Tipo P-Canal SQJ504EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 30 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config.