MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiR580DP, VDSS 80 V, ID 146 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 735-135
- Referência do fabricante:
- SiR580DP
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
2,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 23 de dezembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,00 € |
| 10 - 24 | 1,30 € |
| 25 - 99 | 0,72 € |
| 100 - 499 | 0,71 € |
| 500 + | 0,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 735-135
- Referência do fabricante:
- SiR580DP
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 146A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SiR | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0027Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 50.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 80V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 7mm | |
| Altura | 2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 146A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Serie SiR | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0027Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 50.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 80V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 7mm | ||
Altura 2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de Vishay está clasificado para una tensión de drenaje de fuente de 80 V, ideal para conmutación de alta eficiencia en aplicaciones de servidor de potencia de IA y convertidor dc/dc. Proporciona una resistencia de conexión ultrabaja de 2,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para minimizar las pérdidas de conducción bajo cargas pesadas.
Corriente de drenaje continua de 146 A a TC=25 °C
Carga de puerta total máxima de 76 nC
Temperatura de unión de funcionamiento de -55 °C a +150 °C
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR580DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 146 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 146 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiR5102DP, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiR500DP, VDSS 30 V, ID 350.8 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRA20DDP, VDSS 25 V, ID 337 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiDR500EP, VDSS 30 V, ID 421 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiDR510EP, VDSS 100 V, ID 148 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiDR402EP, VDSS 40 V, ID 291 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines