MOSFET, N-Canal Vishay SIJA74DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 81.2 A, Mejora, SO-8 de 4 pines

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Código RS:
228-2892
Referência do fabricante:
SIJA74DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

81.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.99mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

46.2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El TrenchFET de canal N Vishay es un MOSFET de 40 V.

100 % Rg y UIS probados

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