MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiJ450DP-T1-GE3, VDSS 45 V, ID 113 A, Mejora, SO-8 de 4 pines

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Código RS:
228-2887
Referência do fabricante:
SiJ450DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

113A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

45V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

48W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

75.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El TrenchFET de canal N Vishay es un MOSFET de 45 V.

100 % Rg y UIS probados

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