MOSFET, N-Canal Vishay SIJ150DP-T1-GE3, VDSS 45 V, ID 11 A, Mejora, SO-8 de 4 pines
- Código RS:
- 200-6841
- Referência do fabricante:
- SIJ150DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 200-6841
- Referência do fabricante:
- SIJ150DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 45V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65.7W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 3.4mm | |
| Anchura | 980μm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 45V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65.7W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 3.4mm | ||
Anchura 980μm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay SIJ150DP-T1-GE3 es un MOSFET de canal N 45V (D-S).
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
QG y QOSS muy bajos reducen la pérdida de potencia y mejoran la eficiencia
Los cables flexibles proporcionan resistencia a la tensión mecánica
100 % RG y prueba UIS
La relación Qgd/QGS< 1 optimiza las características de conmutación
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