MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 4.4 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- Código RS:
- 204-7228
- Referência do fabricante:
- SIHU5N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1 425,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 04 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,475 € | 1 425,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 204-7228
- Referência do fabricante:
- SIHU5N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | SiHU5N80AE | |
| Encapsulado | IPAK | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.35Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 6.22mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.39 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie SiHU5N80AE | ||
Encapsulado IPAK | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.35Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 6.22mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.39 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay serie E Power MOSFET tiene una figura de mérito (FOM) Ron x QG baja y una capacitancia de entrada (CISS) baja.
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHU5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4.4 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 4.1 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 2.9 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHU4N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4.1 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHU2N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 2.9 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPU80R900P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 4.4 A, TO-220 de 3 pines