MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI7116BDN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 65 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 228-2825
- Referência do fabricante:
- SI7116BDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 228-2825
- Referência do fabricante:
- SI7116BDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 65A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31.4nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 65A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31.4nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET de Vishay se utiliza para interruptor de lado primario dc/dc, telecomunicaciones/servidor, control de accionamiento de motor y rectificación síncrona.
Los QG y QOSS muy bajos reducen la pérdida de potencia y.
mejorar la eficiencia
Valores de Qg, Qgd y relación Qgd/Qgs optimizados a fin de reducir
la pérdida de potencia relacionada con la conmutación
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