Referência do fabricante

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS23DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 27 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

Código RS:: 814-1314
Referência do fabricante:: SISS23DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS23DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 27 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:: 814-1314
Referência do fabricante:: SISS23DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

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Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	27A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	PowerPAK 1212
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	11.5mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	-0.8V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	195nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	57W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	0.78mm
	Anchura	3.3 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	3.3mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 27A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado PowerPAK 1212
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.5mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf -0.8V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 195nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 57W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 0.78mm
	Anchura 3.3 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 3.3mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS23DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 27 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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