MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHA21N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 7.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 210-4965
- Referência do fabricante:
- SIHA21N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
17,52 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 925 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,504 € | 17,52 € |
| 50 - 120 | 3,154 € | 15,77 € |
| 125 - 245 | 2,768 € | 13,84 € |
| 250 - 495 | 2,558 € | 12,79 € |
| 500 + | 2,208 € | 11,04 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 210-4965
- Referência do fabricante:
- SIHA21N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 205mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 48nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.3mm | |
| Longitud | 28.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 205mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.3mm | ||
Longitud 28.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay serie E Power MOSFET tiene un tipo de encapsulado THIN-Lead TO-220 FULLPAK con corriente de drenaje de 7,5 A.
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (Co(er))
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 7.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHA15N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHA17N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP17N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 15 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP15N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-220 de 3 pines