MOSFET Infineon, N-Canal, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 223-8521
Referência do fabricante:: IPG20N06S4L26AATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, N-Canal, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:: 223-8521
Referência do fabricante:: IPG20N06S4L26AATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	20A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	OptiMOS
	Encapsulado	TDSON
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	26mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	33W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	16V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	15nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Configuración de transistor	Doble
	Anchura	5.9mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Longitud	5.15mm
	Altura	1mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	AEC-Q101

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 20A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie OptiMOS
	Encapsulado TDSON
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 26mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 33W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Configuración de transistor Doble
	Anchura 5.9mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Longitud 5.15mm
	Altura 1mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet - IPG20N06S4L26AATMA1

MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 20 A - IPG20N06S4L26AATMA1

Este MOSFET es un transistor de montaje en superficie de canal N doble diseñado para la conmutación y el control de potencia en entornos exigentes. Combina bajas pérdidas por conducción con requisitos de accionamiento de puerta modestos para soportar aplicaciones de alta corriente en sistemas industriales y de automoción donde la tolerancia a la temperatura y el encapsulado compacto son importantes.

Características y ventajas:

• El valor nominal de drenaje de 60 V permite aplicaciones de conmutación de media tensión
• La corriente de drenaje continua de 20 A admite corrientes de carga sustanciales
• La Rds(on) de 26 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 15 nC minimiza la energía de accionamiento de puerta
• La disipación de potencia máxima de 33 W permite un manejo térmico significativo
• La protección máxima de fuente de puerta de 16 V preserva la integridad de la puerta

Aplicaciones

• Apto para etapas de potencia de automoción que requieren certificación AEC-Q101
• Se utiliza para convertidores dc-dc en sistemas de vehículos
• Ideal para circuitos de medio puente de accionamiento de motor en placas compactas
• Puede utilizarse para conmutar cargas de alta corriente en control industrial
• Se utiliza con diseños de gestión térmica para temperaturas de funcionamiento elevadas

¿Qué tipo de encapsulado se utiliza para la implementación de PCB compacta?

Se suministra en un encapsulado TDSON de 8 contactos adecuado para montaje en superficie.

¿Hasta qué punto se adapta a temperaturas ambiente elevadas?

El dispositivo está diseñado para funcionar a una temperatura máxima de funcionamiento de hasta 175 °C.

¿Qué límites de protección existen para el electrodo de puerta?

Las excursiones de puerta están limitadas por una tensión de fuente de puerta máxima de 16 V.

¿Cuántos elementos de transistor están presentes por chip?

Hay dos elementos por chip en la configuración doble.

¿Qué estándares ambientales o de materiales cumple?

El componente tiene homologación RoHS para el cumplimiento de sustancias restringidas.