MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N06S4L11ATMA1, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, config. Modo de mejora del nivel lógico de

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Código RS:
258-3879
Referência do fabricante:
IPG20N06S4L11ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

IPG20N06S4L-11

Encapsulado

TDSON

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

53nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

65W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±16 V

Configuración de transistor

Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS T2 de Infineon es un Super S08 doble que puede reemplazar varios DPAK para un ahorro significativo de área de PCB y reducción de costes a nivel de sistema. La almohadilla expuesta proporciona una excelente transferencia térmica, dos MOSFET de canal N en un encapsulado con 2 bastidores de cable aislados.

Nivel lógico de canal N doble - Modo de mejora

Certificación AEC Q101

MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Producto ecológico (conforme con RoHS)

100 % probado en avalancha

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