MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50N06S409ATMA2, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 223-8518
- Referência do fabricante:
- IPD50N06S409ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 15 unidades)*
11,385 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 19.785 unidade(s) para enviar a partir do dia 18 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,759 € | 11,39 € |
| 75 - 135 | 0,721 € | 10,82 € |
| 150 - 360 | 0,691 € | 10,37 € |
| 375 - 735 | 0,66 € | 9,90 € |
| 750 + | 0,615 € | 9,23 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 223-8518
- Referência do fabricante:
- IPD50N06S409ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.95V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 71W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.95V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 71W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N serie OptiMOS de Infineon en encapsulado DPAK tiene una tensión de drenaje a fuente de 60 V. Tiene ventajas de la capacidad de corriente más alta, las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica y encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.
Certificación AEC Q101 para automoción
260 MSL1 hasta •°C de reflujo Peak
Temperatura de funcionamiento de •175 °C.
•Paquete verde
•RDS ultra baja
Prueba de avalancha de •100 %
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 45 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 71 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 139 A, Mejora, TO-252 de 3 pines