MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4901
- Referência do fabricante:
- IPD60R180C7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
1 967,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 27 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,787 € | 1 967,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-4901
- Referência do fabricante:
- IPD60R180C7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPD50R | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 180mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Altura | 2.41mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPD50R | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 180mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Altura 2.41mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie MOSFET Infineon CoolMOS™ C7 Superjunction (SJ) 600V CoolMOS™ ofrece una reducción de ∼50 % en pérdidas de desconexión (E OSS ) en comparación con CoolMOS™ CP, ofreciendo un excelente nivel de rendimiento en PFC, TTF y otras topologías de conmutación dura. El IPL60R185C7 es también el complemento perfecto para diseños de cargador de alta densidad de potencia.
Permite aumentar la frecuencia de conmutación sin pérdida de eficiencia
Medición que muestra el parámetro clave para la carga ligera y la eficiencia a plena carga
Si se duplica la frecuencia de conmutación, se medirá la mitad del tamaño de los componentes magnéticos
Encapsulados más pequeños para el mismo R DS(on)
Se puede utilizar en muchas más posiciones para topologías de conmutación dura y suave
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R180C7ATMA1, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 10 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDD60R190G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 10 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines