MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPZA60R037P7XKSA1, VDSS 600 V, ID 76 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 222-4731
- Referência do fabricante:
- IPZA60R037P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4731
- Referência do fabricante:
- IPZA60R037P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 76A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 37mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 121nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 255W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 21.1mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 76A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 37mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 121nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 255W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 21.1mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies.
Excelente resistencia ESD >2kV (HBM) para todos los productos
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