MOSFET, N-Canal Infineon IPP410N30NAKSA1, VDSS 300 V, ID 44 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
222-4695
Referência do fabricante:
IPP410N30NAKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

44A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

300V

Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

41mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

65nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.57mm

Longitud

10.36mm

Anchura

15.95mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de Infineon, también conocidos como transistores MOSFET, son los acrónimo de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS

Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha

Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23

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