MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex DMP2069UFY4Q-7, VDSS 20 V, ID 2.5 A, Mejora, X2-DFN de 3 pines
- Código RS:
- 222-2854
- Referência do fabricante:
- DMP2069UFY4Q-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 222-2854
- Referência do fabricante:
- DMP2069UFY4Q-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | DMP | |
| Encapsulado | X2-DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 54mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.53W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.08 mm | |
| Longitud | 1.58mm | |
| Altura | 0.4mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie DMP | ||
Encapsulado X2-DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 54mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.53W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.08 mm | ||
Longitud 1.58mm | ||
Altura 0.4mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal P DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado (RDS(ON)) y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Fuga de entrada/salida baja
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