MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex DMP2069UFY4Q-7, VDSS 20 V, ID 2.5 A, Mejora, X2-DFN de 3 pines
- Código RS:
- 222-2854
- Referência do fabricante:
- DMP2069UFY4Q-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 222-2854
- Referência do fabricante:
- DMP2069UFY4Q-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | DMP | |
| Encapsulado | X2-DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 54mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.53W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.4mm | |
| Longitud | 1.58mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie DMP | ||
Encapsulado X2-DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 54mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.53W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.4mm | ||
Longitud 1.58mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal P DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado (RDS(ON)) y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Fuga de entrada/salida baja
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