MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex DMP32D9UFO-7B, VDSS 30 V, ID 200 mA, Mejora, X2-DFN de 3 pines
- Código RS:
- 222-2860
- Referência do fabricante:
- DMP32D9UFO-7B
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 222-2860
- Referência do fabricante:
- DMP32D9UFO-7B
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 200mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | DMP | |
| Encapsulado | X2-DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.35nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 320mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 0.45mm | |
| Longitud | 0.65mm | |
| Altura | 0.4mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 200mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie DMP | ||
Encapsulado X2-DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.35nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 320mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 0.45mm | ||
Longitud 0.65mm | ||
Altura 0.4mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal P DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado (RDS(ON)) y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Perfil de encapsulado bajo
Baja resistencia
Puerta protegida contra ESD
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