MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex DMP32D9UFO-7B, VDSS 30 V, ID 200 mA, Mejora, X2-DFN de 3 pines
- Código RS:
- 222-2860
- Referência do fabricante:
- DMP32D9UFO-7B
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 222-2860
- Referência do fabricante:
- DMP32D9UFO-7B
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 200mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | DMP | |
| Encapsulado | X2-DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 320mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.35nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.4mm | |
| Longitud | 0.65mm | |
| Anchura | 0.45 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 200mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie DMP | ||
Encapsulado X2-DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 320mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.35nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.4mm | ||
Longitud 0.65mm | ||
Anchura 0.45 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal P DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado (RDS(ON)) y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Perfil de encapsulado bajo
Baja resistencia
Puerta protegida contra ESD
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