MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 800 mA, US, Mejora de 6 pines, config. Doble
- Código RS:
- 222-2841
- Referência do fabricante:
- DMN3401LDWQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 222-2841
- Referência do fabricante:
- DMN3401LDWQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 800mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | US | |
| Serie | DMN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.4Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.35W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 800mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado US | ||
Serie DMN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.4Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.35W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal n doble DiodesZetex está diseñado para cumplir los exigentes requisitos de aplicaciones de automoción. Está calificado para AEC-Q101, y es compatible con PPAP.
MOSFET doble de canal N
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Puerta protegida contra ESD
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