MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 398.2 A, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 186-1275
- Referência do fabricante:
- NTMTS001N06CLTXG
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
4 263,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 14 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,421 € | 4 263,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 186-1275
- Referência do fabricante:
- NTMTS001N06CLTXG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 398.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | NTMTS001N06CL | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.05mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 165nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 8 mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 398.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie NTMTS001N06CL | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.05mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 165nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 8 mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não conforme
Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
Power 88 Package, Industry Standard
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMTS001N06CLTXG, VDSS 60 V, ID 398.2 A, Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 287 A, Mejora, DFN de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 477 A, Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 21 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 250 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 71 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 133 A, Mejora, DFN de 5 pines