MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS1D7N03CGT1G, VDSS 30 V, ID 170 A, Mejora, DFN de 5 pines
- Código RS:
- 221-6730
- Referência do fabricante:
- NTMFS1D7N03CGT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 221-6730
- Referência do fabricante:
- NTMFS1D7N03CGT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 170A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | NTMFS1D7N | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.74mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 87W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 48nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 1.1 mm | |
| Altura | 6.3mm | |
| Longitud | 5.3mm | |
| Certificaciones y estándares | Pb-Free, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 170A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie NTMFS1D7N | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.74mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 87W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 1.1 mm | ||
Altura 6.3mm | ||
Longitud 5.3mm | ||
Certificaciones y estándares Pb-Free, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia 30V de on Semiconductor utiliza 170 A de corriente de drenaje con un canal N único de−. Mejora la gestión de corriente de entrada y mejora la eficiencia del sistema.
Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
Baja capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
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