MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 337 A, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 221-6727
- Referência do fabricante:
- NTMFS0D8N03CT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*
1 476,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 3000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,984 € | 1 476,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 221-6727
- Referência do fabricante:
- NTMFS0D8N03CT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 337A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | NTMFS0D8N | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.15mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 50nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 6.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.3mm | |
| Anchura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 337A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie NTMFS0D8N | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.15mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 50nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 6.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.3mm | ||
Anchura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de alimentación on Semiconductor 30V utiliza 337 A de corriente de drenaje con un canal N único de−. Mejora la gestión de corriente de entrada y también mejora la eficiencia del sistema.
Encapsulado Advanced (5x6mm)
RDS(on) ultrabaja para mejorar la eficiencia del sistema
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal onsemi NTMFS0D8N03CT1G, VDSS 30 V, ID 337 A, Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 337 A, Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 464 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 277 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 268 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 230 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 120 V, ID 93 A, Mejora, DFN de 5 pines