MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 120 V, ID 93 A, Mejora, DFN de 5 pines
- Código RS:
- 221-6721
- Referência do fabricante:
- NTMFS006N12MCT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 221-6721
- Referência do fabricante:
- NTMFS006N12MCT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 93A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Serie | NTMFS006N | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5.3mm | |
| Anchura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 6.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 93A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Serie NTMFS006N | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5.3mm | ||
Anchura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 6.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET MV de canal N de on Semiconductor se fabrica mediante un Advanced Power Trench Process que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.
Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
Baja capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
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