MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 139 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 221-6693
- Referência do fabricante:
- NTB5D0N15MC
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 221-6693
- Referência do fabricante:
- NTB5D0N15MC
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 139A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | NTB5D0N | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 75nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 214W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 15.88mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 139A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie NTB5D0N | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 75nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 214W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 15.88mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de alimentación on Semiconductor 150V utiliza 139 A de corriente de drenaje con un canal N único de−. Se produce utilizando un proceso Advanced Power Trench que incorpora tecnología de puerta apantallada. Tiene el diodo de cuerpo más suave y Qrr más bajo del sector para conmutación de ruido bajo superior.
RDS(on) máx. De 5,0 m con VGS a 10V
Qrr un 50 % inferior que otros proveedores de MOSFET
Reduce el ruido de conmutación/EMI
100% sometido a pruebas UIL
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