MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 185 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
202-5692
Referência do fabricante:
NTBGS4D1N15MC
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

185A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

NTB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

316W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

88.9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

Pb-Free, RoHS

Longitud

9.2mm

Altura

600μm

Anchura

9.9mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N sencillo DE on Semiconductor funciona con 185 amperios y 150 voltios. Se puede utilizar en herramientas eléctricas, aspiradores alimentados por batería, UAV/Drones, manipulación de materiales, BMS/almacenamiento, automatización doméstica.

Baja resistencia de drenaje a encendido de la fuente

Reduce el ruido de conmutación

Sin plomo

Libre de halógenos

En conformidad con RoHS

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