MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPB083N15N5LFATMA1, VDSS 150 V, ID 105 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

12,05 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 29 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 - 186,025 €12,05 €
20 - 485,365 €10,73 €
50 - 985,005 €10,01 €
100 - 1984,70 €9,40 €
200 +4,33 €8,66 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
220-7385
Referência do fabricante:
IPB083N15N5LFATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

105A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

TO-263

Serie

OptiMOS 5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El FET lineal OptiMOS de Infineon es un enfoque revolucionario para evitar el equilibrio entre resistencia de estado de conexión (R DS(on)) y capacidad de modo lineal: Funcionamiento en la región de saturación de un MOSFET de modo mejorado. Ofrece el R DS(on) de vanguardia de un MOSFET Trench junto con el amplio área de funcionamiento seguro de un MOSFET planar clásico.

Combinación de R DS(on) bajo y área de funcionamiento segura amplia (SOA)

Corriente de impulso máx. Alta

Corriente de impulso continuo alta

Funcionamiento en modo lineal resistente

Bajas pérdidas de conducción

Mayor corriente de entrada activada para un arranque más rápido y una reducción de la corriente tiempo

Links relacionados