MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 270 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
220-7342
Referência do fabricante:
AUIRF2804STRL
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

270A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

160nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.83mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.65 mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de potencia con calificación de automoción de canal N 20V-40V que utilizan la nueva tecnología OptiMOS en una variedad de encapsulados para satisfacer una amplia gama de necesidades y alcanzar RDS(on) hasta 0.6mΩ Optimos5 40V. La nueva tecnología MOSFET de referencia OptiMOS 6 y permite bajas pérdidas de conducción (El mejor rendimiento de RDSon de su clase), pérdidas de conmutación bajas (comportamiento de conmutación mejorado), recuperación de diodo mejorada y comportamiento EMC. Esta tecnología MOSFET se utiliza en los encapsulados más Advanced e innovadores para alcanzar el mejor rendimiento y calidad del producto. Para ofrecer lo último en flexibilidad de diseño, los MOSFET con calificación de automoción están disponibles en una variedad de encapsulados para satisfacer una amplia gama de necesidades. Infineon ofrece a los clientes un flujo constante de mejoras en capacidad de corriente, comportamiento de conmutación, fiabilidad, tamaño de encapsulado y calidad general. El puente medio integrado de reciente desarrollo es una solución de encapsulado innovadora y rentable para aplicaciones de cuerpo y accionamiento de motor.

Tecnología Advanced Process

Resistencia de conexión ultrabaja

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Conmutación rápida

Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax

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