MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN95R1K2P7ATMA1, VDSS 950 V, ID 6 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
219-6005
Referência do fabricante:
IPN95R1K2P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

950V

Encapsulado

SOT-223

Serie

CoolMOS P7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

120mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

7W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.7 mm

Longitud

6.7mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.8mm

Estándar de automoción

No

Infineon Diseñado para satisfacer las crecientes necesidades de los consumidores en el ámbito de los MOSFET de alta tensión, la última tecnología CoolMOS™ P7 de 950V V se centra en el mercado de SMPS de baja potencia. Con 50V V más de tensión de bloqueo que su predecesor CoolMOS™ C3 de 900V V, la serie CoolMOS™ P7 de 950V V ofrece un rendimiento excepcional en términos de eficiencia, comportamiento térmico y facilidad de uso. Al igual que los demás miembros de la familia P7, la serie 950V CoolMOS™ P7 se suministra con una protección ESD de diodo Zener integrada. El diodo integrado mejora considerablemente la solidez de ESD, reduciendo así la pérdida de rendimiento relacionada con ESD y alcanzando niveles excepcionales de facilidad de uso. CoolMOS™ P7 se ha desarrollado con la mejor VGS(th) de su clase de 3V V y una tolerancia estrecha de solo ± 0,5V V, lo que facilita su accionamiento y diseño.

La mejor VGS(th) de su clase de 3V V y la variación VGS(th) más pequeña de ±0,5V V

Protección ESD de diodo Zener integrado hasta clase 2 (HBM)

La mejor calidad y fiabilidad de su clase

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