MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 13 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3097
- Referência do fabricante:
- IRF6215STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-3097
- Referência do fabricante:
- IRF6215STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 290mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 290mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie IRF de potencia de canal P sencillo. Este MOSFET utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Es adecuado para aplicaciones de alta corriente.
Conmutación rápida
Canal P.
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
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