MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 13 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3097
- Referência do fabricante:
- IRF6215STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-3097
- Referência do fabricante:
- IRF6215STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 290mΩ | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Altura | 4.83mm | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 290mΩ | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Altura 4.83mm | ||
Anchura 9.65mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie IRF de potencia de canal P sencillo. Este MOSFET utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Es adecuado para aplicaciones de alta corriente.
Conmutación rápida
Canal P.
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
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