Referência do fabricante

MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF100P218XKMA1, VDSS 100 V, ID 483 A, TO-247, Mejora de 3 pines

Código RS:: 218-3093
Referência do fabricante:: IRF100P218XKMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF100P218XKMA1, VDSS 100 V, ID 483 A, TO-247, Mejora de 3 pines

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Código RS:: 218-3093
Referência do fabricante:: IRF100P218XKMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	483A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	TO-247
	Serie	StrongIRFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.00128Ω
	Modo de canal	Mejora

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	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 483A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado TO-247
	Serie StrongIRFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00128Ω
	Modo de canal Mejora

Datasheet - IRF100P218XKMA1

MOSFET de potencia de canal N de 100 V de Infineon. Este MOSFET es ideal para aplicaciones de alta frecuencia de conmutación.

RDS(on) muy bajo

Excelente carga de puerta x RDS(on) (FOM)

Qrr optimizado

Temperaturas de funcionamiento: 175°C

MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF100P218XKMA1, VDSS 100 V, ID 483 A, TO-247, Mejora de 3 pines

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