MOSFET Infineon, N-Canal IRF100P218XKMA1, VDSS 100 V, ID 483 A, TO-247, Mejora de 3 pines
- Código RS:
- 218-3093
- Referência do fabricante:
- IRF100P218XKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-3093
- Referência do fabricante:
- IRF100P218XKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 100 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 483 A | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.00128 Ω | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | StrongIRFET | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 100 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 483 A | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.00128 Ω | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie StrongIRFET | ||
The Infineon 100 V N-Channel Power MOSFET. This MOSFET is Ideal for high switching frequency applications.
Very low RDS(on)
Excellent gate charge x RDS(on) (FOM)
Optimized Qrr
175°C operating temperature
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