Referência do fabricante

MOSFET Infineon IRF100P218XKMA1, VDSS 100 V, ID 483 A., TO-247 de 3 pines

Código RS:: 218-3093
Referência do fabricante:: IRF100P218XKMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF100P218XKMA1, VDSS 100 V, ID 483 A., TO-247 de 3 pines

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Código RS:: 218-3093
Referência do fabricante:: IRF100P218XKMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	483 A.
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
	Tipo de Encapsulado	TO-247
	Serie	StrongIRFET
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines	3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,00128 Ω
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	3.8V
	Número de Elementos por Chip	1
	Material del transistor	Si

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	Marca Infineon
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 483 A.
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 100 V
	Tipo de Encapsulado TO-247
	Serie StrongIRFET
	Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines 3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 0,00128 Ω
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 3.8V
	Número de Elementos por Chip 1
	Material del transistor Si

Datasheet - IRF100P218XKMA1

MOSFET Infineon de potencia de canal N de 100 V. Este MOSFET es ideal para aplicaciones de frecuencia de conmutación alta.

Muy bajo nivel de RDS(on)
Excelente carga de puerta x RDS(on) (FOM)
Qrr. Optimizado
Temperatura de funcionamiento de 175 °C

MOSFET Infineon IRF100P218XKMA1, VDSS 100 V, ID 483 A., TO-247 de 3 pines

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