MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 911-4818
- Referência do fabricante:
- SPW20N60S5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 911-4818
- Referência do fabricante:
- SPW20N60S5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS S5 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 190mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 208W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 79nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20.95mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie CoolMOS S5 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 208W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20.95mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- GB
MOSFET Infineon CoolMOS serie S5, corriente de drenaje continua máxima de 20 A, disipación de potencia máxima de 208 W - SPW20N60S5FKSA1
Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alta tensión y ofrece una eficiencia y un rendimiento notables. Desempeña un papel vital en industrias que dependen de la gestión eficaz de la energía y la funcionalidad de los semiconductores. Gracias a su avanzada tecnología de Si, funciona eficazmente en un amplio espectro de temperaturas, lo que lo hace idóneo para una gran variedad de aplicaciones en sistemas eléctricos y de automatización.
Características y ventajas
• La configuración de canal N mejora la capacidad de conmutación
• La corriente de drenaje continua máxima de 20 A admite cargas elevadas
• Alta tensión nominal de 600 V para usos exigentes
• La carga de puerta ultrabaja mejora la eficiencia de conmutación
• El modo de mejora permite un control operativo preciso
Aplicaciones
• Conversión de potencia en sistemas de automatización industrial
• Ideal para accionamientos de motores y sistemas de control
• Fuentes de alimentación para energías renovables
• SAI y sistemas de alimentación de reserva
¿Cuáles son las características de resistencia térmica de este componente?
La resistencia térmica de la unión a la carcasa es de 0,6K/W, lo que facilita una disipación eficaz del calor durante el funcionamiento.
¿Es adecuado para su uso en entornos exigentes?
Sí, funciona en un rango de temperaturas de -55°C a +150°C, lo que permite versatilidad para diversas condiciones.
¿Cuál es la tensión puerta-fuente máxima que se puede aplicar?
La tensión máxima de la fuente de puerta es de ±20 V, lo que proporciona flexibilidad en las condiciones de conducción.
¿Puede soportar corrientes de avalancha repetitivas?
Sí, puede gestionar corrientes de avalancha repetitivas de hasta 20 A, lo que garantiza su robustez frente a condiciones transitorias.
¿Cómo se comporta en condiciones de drenaje pulsado?
Puede soportar una corriente de drenaje pulsada limitada a 40 A, lo que garantiza la fiabilidad durante breves ráfagas de alta corriente.
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