MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB180N04S4H0ATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 218-3036
- Referência do fabricante:
- IPB180N04S4H0ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-3036
- Referência do fabricante:
- IPB180N04S4H0ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de automoción de canal N Infineon OptiMOS™-T2. Tiene un tipo de encapsulado TO263-7-3 .
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
RDS(on) ultrabajo
Prueba de avalancha al 100 %
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