MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAW60R360P7SXKSA1, VDSS 650 V, ID 9 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3017
- Referência do fabricante:
- IPAW60R360P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 15 unidades)*
17,745 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 360 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,183 € | 17,75 € |
| 75 - 135 | 1,124 € | 16,86 € |
| 150 - 360 | 1,077 € | 16,16 € |
| 375 - 735 | 1,029 € | 15,44 € |
| 750 + | 0,959 € | 14,39 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 218-3017
- Referência do fabricante:
- IPAW60R360P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon de potencia de canal N serie 600V CoolMOS™ P7. Tiene pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas, lo que hace que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas y mucho más frías. La plataforma de generación CoolMOS™ 7th es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies.
Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC) debido a una extraordinaria resistencia a la conmutación
Reducción significativa de pérdidas de conducción y conmutación
Excelente resistencia ESD >2kV (HBM) para todos los productos
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 9 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA60R180C7XKSA1, VDSS 650 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 66 A, N, TO-220
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 26 A, N, TO-220
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN60R360PFD7SXKSA1, VDSS 650 V, ID 26 A, N, TO-220
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN60R125PFD7SXKSA1, VDSS 650 V, ID 66 A, N, TO-220
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 50 A, TO-220