MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 6.6 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 218-2993
- Referência do fabricante:
- IPA50R950CEXKSA2
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 218-2993
- Referência do fabricante:
- IPA50R950CEXKSA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 950mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 0.83V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 16.15mm | |
| Altura | 29.75mm | |
| Anchura | 4.9 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 950mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 0.83V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 16.15mm | ||
Altura 29.75mm | ||
Anchura 4.9 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon 500V CoolMOS™ serie CE de MOSFET de potencia de canal N. CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. Proporciona todas las ventajas de un MOSFET SuperJunction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y.
ofrece la mejor relación coste-rendimiento disponible en el mercado.
Resistencia a conmutación muy alta
Fácil de usar/conducir
Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos
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