MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN50R500CEXKSA1, VDSS 500 V, ID 7.6 A, N, TO-220 de 3 pines

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217-2495
Referência do fabricante:
IPAN50R500CEXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

500mΩ

Modo de canal

N

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.85V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

28W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

16.1mm

Anchura

4.8 mm

Altura

29.85mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon 500V CoolMOS™ CE es una plataforma optimizada para el rendimiento de precio que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de superunión de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.

Energía reducida almacenada en la capacitancia de salida (E OSS)

Resistencia de diodo de cuerpo alto

Carga de recuperación inversa reducida (Q rr )

Carga de puerta reducida (Q g )

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