MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN50R500CEXKSA1, VDSS 500 V, ID 7.6 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2495
- Referência do fabricante:
- IPAN50R500CEXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 217-2495
- Referência do fabricante:
- IPAN50R500CEXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 500mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 28W | |
| Tensión directa Vf | 0.85V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 29.85mm | |
| Longitud | 16.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 500mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 28W | ||
Tensión directa Vf 0.85V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 29.85mm | ||
Longitud 16.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon 500V CoolMOS™ CE es una plataforma optimizada para el rendimiento de precio que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de superunión de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.
Energía reducida almacenada en la capacitancia de salida (E OSS)
Resistencia de diodo de cuerpo alto
Carga de recuperación inversa reducida (Q rr )
Carga de puerta reducida (Q g )
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