MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 550 V, ID 7.6 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 218-2991
- Referência do fabricante:
- IPA50R800CEXKSA2
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
18,60 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 400 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,372 € | 18,60 € |
| 100 - 200 | 0,29 € | 14,50 € |
| 250 - 450 | 0,272 € | 13,60 € |
| 500 - 1200 | 0,253 € | 12,65 € |
| 1250 + | 0,235 € | 11,75 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 218-2991
- Referência do fabricante:
- IPA50R800CEXKSA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 550V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 0.83V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 16.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 29.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 550V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 0.83V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 16.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 29.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon 500V CoolMOS™ serie CE de MOSFET de potencia de canal N. CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. Este MOSFET se utiliza en etapas PFC, etapas PWM de conmutación dura y etapas de conmutación resonantes, por ejemplo, PC Silverbox, adaptador, TV LCD y PDP e iluminación interior.
Resistencia a conmutación muy alta
Fácil de usar/conducir
Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA50R800CEXKSA2, VDSS 550 V, ID 7.6 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 7.6 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN50R500CEXKSA1, VDSS 500 V, ID 7.6 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 550 V, ID 18.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 550 V, ID 13 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 550 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 550 V, ID 23 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP50R190CEXKSA1, VDSS 550 V, ID 18.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines