MOSFET, N-Canal Infineon IAUT260N10S5N019ATMA1, VDSS 100 V, ID 260 A, Mejora, HSOF de 8 pines

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218-2990
Referência do fabricante:
IAUT260N10S5N019ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

260A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

HSOF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

+175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de la serie OptiMOS 5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 100 V, corriente de drenaje continua de 260 A - IAUT260N10S5N019ATMA1


Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de alta corriente diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en entornos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para condiciones hostiles y está diseñado para aplicaciones que requieren un manejo de corriente de drenaje considerable, una resistencia de conexión ajustada y una tolerancia de tensión de puerta robusta.

Características y ventajas:


• La Rds(on) de 1,9 mΩ proporciona pérdidas de conducción reducidas
• La corriente de drenaje continua de 260 A permite el manejo de alta corriente
• El valor nominal de drenaje-fuente de 100 V admite sistemas de tensión media
• La tolerancia de puerta de ±20 V permite tensiones de accionamiento flexibles
• La disipación de potencia de 300 W permite una carga térmica sustancial
• La tensión directa de 1.3 V minimiza las pérdidas por conducción del diodo

Aplicaciones


• Adecuado para sistemas de transmisión y motores de automoción
• Ideal para etapas de conversión dc-dc de alta corriente
• Se utiliza con sistemas de gestión de baterías y almacenamiento de energía
• Puede utilizarse para la distribución de energía en vehículos electrificados
• Adecuado para conjuntos de montaje en superficie que requieren MOSFET de potencia compactos

¿Qué temperaturas extremas puede soportar en funcionamiento?


Está especificado para un uso continuo de –55 a +175 °C.

¿Qué encapsulado y estilo de montaje se proporcionan para los conjuntos compactos?


Se suministra en un encapsulado HSOF diseñado para montaje en superficie con ocho contactos.

¿Cómo admite el dispositivo las necesidades de certificación de automoción?


Cumple los requisitos de automoción AEC-Q101 para componentes utilizados en entornos de vehículos.

¿Qué tipo y modo de canal determinan el comportamiento de conmutación?


Utiliza un dispositivo de canal N que funciona en modo de mejora para una conducción controlada.

¿Qué límites eléctricos deben observarse para las tensiones de puerta y drenaje?


La tensión de fuente de puerta debe permanecer dentro de ±20 V y la tensión de fuente de drenaje dentro de 100 V.

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