MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPZ40N04S58R4ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 217-2589
- Referência do fabricante:
- IPZ40N04S58R4ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
10,38 €
Adicione 160 unidades para obter entrega gratuita
Últimas unidades em stock
- Última(s) 14.900 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 + | 0,519 € | 10,38 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 217-2589
- Referência do fabricante:
- IPZ40N04S58R4ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | IPZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 34W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie IPZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 34W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon 40V, N-Ch, 8,4 MΩ máx., MOSFET de automoción, S3O8, OptiMOS™-5.
OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción
Canal N - modo de mejora - nivel normal
Certificación AEC Q101
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Prueba de avalancha al 100 %
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPZ40N04S55R4ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 20 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 105 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUZ40N10S5N130ATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPZ40N04S53R1ATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, Mejora, PQFN de 8 pines