MOSFET, N-Canal Infineon IPP60R210CFD7XKSA1, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2561
- Referência do fabricante:
- IPP60R210CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 217-2561
- Referência do fabricante:
- IPP60R210CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS 7 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 210mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tensión directa Vf | 900mV | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 64W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.57mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Altura | 29.95mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie CoolMOS 7 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 210mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Tensión directa Vf 900mV | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 64W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.57mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.36mm | ||
Altura 29.95mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies.
Diodo de cuerpo ultrarrápido
Carga de puerta baja
La mejor carga de recuperación inversa (Qrr) de su clase
Diodo inverso de MOSFET DV/dt y dif/resistencia mejorados
FOMRDS(on)*QG y RDS(on)*Eoss más bajos
El mejor RDS(on) de su clase en encapsulados SMD y THD
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