MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 215-2538
- Referência do fabricante:
- IPP60R099P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 215-2538
- Referência do fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 99mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 117W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 99mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 117W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.36mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon CoolMOS™ serie P7, corriente de drenaje continua de 31 A, tensión de fuente de drenaje de 600 V - IPP60R099P7XKSA1
Este MOSFET es un componente de potencia de alto rendimiento diseñado específicamente para aplicaciones de alta tensión. Con una corriente de drenaje continua máxima de 31 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 600 V, está alojado en un encapsulado TO-220, lo que lo hace adecuado para el montaje a través de orificios. Sus excepcionales especificaciones lo hacen ideal para diseños electrónicos avanzados en diversos sectores.
Características y ventajas
• Adecuado tanto para conmutación en duro como en blando
• Reduce significativamente las pérdidas por conmutación y conducción
• Excelente diodo de cuerpo robusto para conmutación dura
• Alta protección ESD superior a 2 kV para un rendimiento fiable
• La configuración en modo de mejora simplifica el diseño de circuitos
Aplicaciones
• Ideal para etapas PFC (corrección del factor de potencia)
• Se utiliza en PWM (modulación por ancho de pulsos) de conmutación dura
• Aplicable en etapas de conmutación resonante para diversos componentes electrónicos
• Apto para adaptadores y televisores LCD/PDP
• Se utiliza en soluciones de iluminación, equipos de servidor y sistemas de telecomunicaciones
¿Qué significa el bajo valor de RDS(on) en este dispositivo?
Un bajo valor RDS(on) de 0,099 ohmios minimiza las pérdidas por conducción, mejorando la eficiencia de la conversión de potencia en aplicaciones en las que la generación de calor es una preocupación.
¿Cómo influye su rango de temperatura de trabajo en su rendimiento?
Funciona eficazmente entre -55 °C y +150 °C, por lo que garantiza fiabilidad y estabilidad incluso en condiciones extremas, lo que la hace adecuada para diversos entornos.
¿Puede utilizarse en configuraciones paralelas?
Sí, para las configuraciones en paralelo, se suele recomendar el uso de perlas de ferrita en la puerta o de tótems separados para evitar la oscilación y garantizar un funcionamiento estable.
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