MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN80R1K2P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
217-2553
Referência do fabricante:
IPN80R1K2P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

SOT-223

Serie

IPN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11nC

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

6.8W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.7mm

Altura

1.8mm

Anchura

3.7 mm

Estándar de automoción

No

La serie Infineon 800V CoolMOS™ P7 de MOSFET de superunión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer por completo las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno, incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Esta nueva familia de productos ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura MOSFET entre 2 °C y 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como con piezas de la competencia probadas en aplicaciones de retorno típicas. También permite diseños de mayor densidad de potencia gracias a menores pérdidas de conmutación y mejores productos DPAK R DS(on). En general, ayuda a los clientes a ahorrar costes de LDM y a reducir el esfuerzo de ensamblaje.

El mejor FOM R DS(on) * E OSS de su clase; QG, C ISS y C OSS mejor DPAK R DS(on) de su clase de 280mΩ

La mejor V (GS)th de su clase de 3V y la variación V (GS)th más pequeña De ± 0,5 V.

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