MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R600P7ATMA1, VDSS 600 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2528
- Referência do fabricante:
- IPD60R600P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
16,54 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 200 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,827 € | 16,54 € |
| 100 - 180 | 0,786 € | 15,72 € |
| 200 - 480 | 0,753 € | 15,06 € |
| 500 - 980 | 0,72 € | 14,40 € |
| 1000 + | 0,67 € | 13,40 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 217-2528
- Referência do fabricante:
- IPD60R600P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 41W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 41W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 SuperJunction (SJ) 600V es el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación CoolMOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.
El 600V P7 permite un excelente FOM R DS(on)XE OSS DS(on)xQ G.
Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)
Resistencia de puerta R G integrada
Diodo de cuerpo resistente
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante
Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 14.7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 10 pines