MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 8.5 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2500
- Referência do fabricante:
- IPAN70R600P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 217-2500
- Referência do fabricante:
- IPAN70R600P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 82W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 29.87mm | |
| Longitud | 16.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 82W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 29.87mm | ||
Longitud 16.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie MOSFET de superunión Infineon 700V CoolMOS™ P7 se dirige al mercado de SMPS de baja potencia, como cargadores de teléfono móvil o adaptadores de ordenador portátil, ofreciendo ganancias de rendimiento fundamentales en comparación con las tecnologías de superunión utilizadas actualmente. Al combinar la retroalimentación de los clientes con más de 20 años de experiencia en MOSFET de superunión, el CoolMOS™ P7 700V permite el mejor ajuste para aplicaciones de destino en términos de eficiencia y térmicas comportamiento EMI de facilidad de uso.
FOM R R DS(on) x E OSS extremadamente bajo; Bajar Q g, E on y E OFF
Tecnología de alto rendimiento
Pérdidas de conmutación bajas (E OSS)
Muy eficaz
Excelente comportamiento térmico
Permite conmutación de alta velocidad
Diodo Zener de protección integrada
V (GS)th optimizado de 3V con tolerancia muy estrecha de ±0,5 V.
Cartera finamente graduada
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