Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 8.5 A, N, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 217-2500
Referência do fabricante:: IPAN70R600P7SXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 8.5 A, N, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 217-2500
Referência do fabricante:: IPAN70R600P7SXKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	700V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	CoolMOS
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	600mΩ
	Modo de canal	N
	Disipación de potencia máxima Pd	82W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	20.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Tensión directa Vf	0.9V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4.8 mm
	Longitud	16.1mm
	Altura	29.87mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V
	Encapsulado TO-220
	Serie CoolMOS
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ
	Modo de canal N
	Disipación de potencia máxima Pd 82W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Tensión directa Vf 0.9V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4.8 mm
	Longitud 16.1mm
	Altura 29.87mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - IPAN70R600P7SXKSA1

La serie MOSFET de superunión Infineon 700V CoolMOS™ P7 se dirige al mercado de SMPS de baja potencia, como cargadores de teléfono móvil o adaptadores de ordenador portátil, ofreciendo ganancias de rendimiento fundamentales en comparación con las tecnologías de superunión utilizadas actualmente. Al combinar la retroalimentación de los clientes con más de 20 años de experiencia en MOSFET de superunión, el CoolMOS™ P7 700V permite el mejor ajuste para aplicaciones de destino en términos de eficiencia y térmicas comportamiento EMI de facilidad de uso.

FOM R R DS(on) x E OSS extremadamente bajo; Bajar Q g, E on y E OFF

Tecnología de alto rendimiento

Pérdidas de conmutación bajas (E OSS)

Muy eficaz

Excelente comportamiento térmico

Permite conmutación de alta velocidad

Diodo Zener de protección integrada

V (GS)th optimizado de 3V con tolerancia muy estrecha de ±0,5 V.

Cartera finamente graduada

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 8.5 A, N, TO-220 de 3 pines

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