MOSFET de potencia Infineon, N-Canal IRF8910TRPBF, VDSS 20 V, ID 10 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- Código RS:
- 215-2589
- Referência do fabricante:
- IRF8910TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*
1 432,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 20 de janeiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,358 € | 1 432,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 215-2589
- Referência do fabricante:
- IRF8910TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.4nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.4nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon HEXFET Power MOSFET tiene una tensión de fuente de drenaje máxima de 20V en un encapsulado SO-8. Tiene aplicación como MOSFET SO-8 doble para convertidores POL en ordenadores de sobremesa, servidores, tarjetas gráficas, consolas de juegos y descontibiadores.
Sin plomo
Baja RDS(on)
Impedancia de puerta ultrabaja
MOSFET doble de canal N
Links relacionados
- MOSFET de potencia Infineon, N-Canal IRF8910TRPBF, VDSS 20 V, ID 10 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- MOSFET Infineon, N-Canal, VDSS 50 V, ID 3 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- MOSFET Infineon, N-Canal, VDSS 20 V, ID 6.6 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- MOSFET Infineon, N-Canal, VDSS 30 V, ID 21 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- MOSFET Infineon, N-Canal, VDSS 55 V, ID 5.1 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Infineon, N-Canal AUIRF7103QTR, VDSS 50 V, ID 3 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- MOSFET Infineon, N-Canal IRF7311TRPBF, VDSS 20 V, ID 6.6 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- MOSFET Infineon, N-Canal IRF8734TRPBF, VDSS 30 V, ID 21 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble